POWER MOSFET N-CH 9A 200V 75W .4OHM
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220F
Number of Channels: ۱ Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: ۲۰۰ V
Id – Continuous Drain Current: ۹ A
Rds On – Drain-Source Resistance: ۴۰۰ mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: ۲۰ V
Maximum Operating Temperature: + ۱۵۰ C
Configuration: Single
Fall Time: ۲۰ ns
Height: ۹٫۰۱ mm
Length: ۱۰٫۴۱ mm
Minimum Operating Temperature: – ۵۵ C
Pd – Power Dissipation: ۷۴ W
Rise Time: ۲۸ ns
Factory Pack Quantity: ۱۰۰۰
Transistor Type: ۱ N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: ۳۹ ns
Typical Turn-On Delay Time: ۹٫۴ ns
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.