MJE3055T-org

Specification

Product Category:     Bipolar Transistors – BJT
RoHS:     RoHS Compliant Details
Mounting Style:     Through Hole
Package / Case:     TO-220-3
Transistor Polarity:     NPN
Configuration:     Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:     ۶۰ V
Collector- Base Voltage VCBO:     ۷۰ V
Emitter- Base Voltage VEBO:     ۵ V
Collector-Emitter Saturation Voltage:     ۱٫۱ V
Maximum DC Collector Current:     ۱۰ A
Gain Bandwidth Product fT:     ۲ MHz
Maximum Operating Temperature:     + ۱۵۰ C
Series:     ۵۰۰V Transistors
Continuous Collector Current:     ۱۰ A
DC Collector/Base Gain hfe Min:     ۲۰
DC Current Gain hFE Max:     ۷۰
Height:     ۹٫۱۵ mm (Max)
Length:     ۱۰٫۴ mm (Max)
Minimum Operating Temperature:     – ۵۵ C
Packaging:     Tube
Pd – Power Dissipation:     ۷۵ W
Factory Pack Quantity:     ۱۰۰۰
Width:     ۴٫۶ mm (Max)